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耐高温微型压力传感器设计

作者:不详 来源:网上收集 更新日期:2006-7-19 阅读次数:
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        在A03号耐高温压力传感器结构设计上采用梁膜结合压力传递结构,使被测高温流体不能直接作用在SOI芯片固态压阻力敏感元件上,从而避免了被测流体的瞬时高温冲击(2 000℃).给出了传感器结构设计理论和设计结果及SOI芯片固态压阻力敏感元件的制作方法.对设计制作的耐高温微型压力传感器进行了高温实验.测试结果表明,这种新型结构的耐高温微型压力传感器具有较好的静态特性.西普电气

参考文献:
[1]黄炎.弹性薄板理论[M].北京:国防科技大学出版社,1992.西普电气
[2]Diem B, Rey P, et al.. SOI ′SIMOX′ from Bulk to Surface Micromaching, A New Age for Silicon Sensors and Actuators [J]. Sensors and Actuators A46-47(1995) :8-16.
[3]李乃平.微电子器件工艺[M].武汉:华中理工大学出版社,1995.
[4]袁希光.传感器技术手册[M].北京:国防工业出版社,1992.
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关键词:压力传感器 SOI芯片梁膜结构
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