飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发出新的低导通阻抗600V SuperFET MOSFET器件系列，专为满足最新的超纤小型镇流器应用的DPAK(TO-252)器件需求而设计。飞兆半导体DPAK封装的SuperFET器件的导通阻抗仅为传统Planar型MOSFET的三分之一(0.6 ~ 1.2Ω)，能满足高频照明系统设计的系统效率需求且将开关和传导损耗减至最小。这些器件还可以承受高速电压(dv/dt)和电流(di/dt)开关瞬态响应，能在高频镇流器中可靠的工作。

    一般而言，当标准MOSFET的击穿电压增大时，其导通阻抗RDS(on)将随之呈指数级增长，并导致芯片尺寸增大。飞兆半导体专有的SuperFET技术则将RDS(on)与芯片尺寸的这种指数关系变为线性关系，这使SuperFET器件获得非常出色的RDS(on)和很小的芯片尺寸，甚至在600V击穿电压下亦然。飞兆半导体采用DPAK封装的SuperFET器件是这种先进封装技术的最新成果。

    飞兆半导体功能功率部副总裁Taehoon Kim表示：“DPAK封装器件是我们的SuperFET产品系列的最新成员，专为满足照明系统制造商对提高能源效率和减少占位空间的要求而设计。利用我们专有的SuperFET技术，可以获得极低的导通阻抗以减小MOSFET芯片尺寸，并实现600V/0.6 Ohm的DPAK封装产品。相比之下，通常用于照明应用的600V/0.6 Ohm平坦化MOSFET器件则采用较大的TO-220或D2PAK(TO-263)封装。飞兆半导体的DPAK SuperFET技术为我们的客户提供了采用更紧凑封装的低导通阻抗器件，从而满足了市场对纤小化电子镇流器不断增长的需求。”

     SuperFET MOSFET采用无铅DPAK封装，能达到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。

    供货: 现货

    交货期: 收到订单后12周内

（源自：电子工程专辑）